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initiale 2002 |
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mise à jour 21 janvier 2013 |
D'autres infos technologiques
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l'article complet
La gravure en profondeur sur des surfaces importantes
Un problème
récurrent se produit lorsqu'on veut graver le silicium en profondeur
: la profondeur de la gravure n'est pas uniforme sur l'ensemble du wafer, on
a des effets de bord très importants, ce qui se manifeste au premier
coup d'oeil par un phénomène de réflexion de la lumière.
Ainsi sur le wafer de 3 inches ci-contre qui est destiné à un
dispositif d'affichage de 80 pixels par 80 pixels on constate ce phénomène
qui se traduira dans le fonctionnement de l'afficheur par une distorsion notable
puisque tous les pixels ne sont pas équivalents. En effet les fluctuations
de profondeur de gravure sur ce wafer entre les pixels du bord et ceux du centre
sont absolument considérables (plus de 100µm de différence).
....

Le wafer inférieur comporte une couche d'oxyde destinée à
bloquer le processus d'etching lors de la phase (c), tandis que la face inférieure
du wafer supérieur a été prégravée très
exactement selon le motif désiré et servira de masque profond..
La face inférieure du wafer inférieur sera protégée
par une couche de nitrure de silicium. Après soudure des 2 wafers on
obtient la structure (b). Une première phase de gravure conduit à
la structure (c) qui conserve intact le masque intermédiaire. Lors
de la phase (d) on va changer de réactif et dissoudre l'oxyde, comme
les deux couches d'oxyde en contact ont la même épaisseur on
va donc maintenir très exactement la géométrie du masque
(qui aura si l'on peut dire descendu d'un étage) ainsi en (d) le masque
en contact du wafer inférieur est très exactement l'image prédéfinie
mais on a un ensemble ayant une grande épaisseur avec des puits dont
les parois sont verticales et semblables en tout point du wafer. Il reste
alors à enlever le silicium parfaitement protégé aux
endroits où il doit persister et le résultat (e) est un wafer
dont l'ensemble des pixels sont parfaitement identiques.
Il va de soi que ce procédé peut être appliqué
à de nombreux dispositifs devant posséder plusieurs motifs identiques
gravés en profondeur.
Pour en savoir plus : [1] Walton A.J., Parkes W., Terry, J.G., Dunare C.C.,
Stevenson J.T.M., Gundlach A.M., Hilton G.C., Irwin K.D., Ullom J.N., Holland
W.S., Duncan W.D., Audley M.D.,Ade P.A.R., Sudiwala R.V., Schulte E.:
Design and fabrication of the detector technology for SCUBA-2, IEE Proceedings
– Science, Measurement and Technology, Vol. 151, No. 2, pp. 110-120,
(2004)
[2] UK patent application No. 0601415.3
[3] http://www.roe.ac.uk/ukatc/people/innovation-group/deep_etch.pdf
Technologie 32 nanomètres
: une nouvelle étape franchie.
TSMC (Taïwan Semiconductor Manufacturing
Company) a dévoilé à la conférence IEDM (2007 International
Electron Devices Meeting) , qui se tient cette semaine à Washington,
le développement de la première puce en technologie Cmos
32nm disposant de fonctionnalités analogiques et numériques.
Cette puce est une Sram 2Mbits dont la cellule est, selon TSMC, la plus petite
de l'industrie, à 0.15µm2. L'originalité de la technologie
de TSMC est d'être une technologie faible consommation
relativement classique ne reposant ni sur des diélectriques de grille
à constante k élevée, ni sur des grilles métalliques,
comme c'est le cas de la plupart des autres technologies Cmos 32nm présentées
à IEDM ( celle développée par IBM et ses partenaires, par
exemple). Le concept TSMC permet non seulement une réduction de consommation
mais également une augmentation de vitesse considérable. IBM a
en effet aussi présenté un prototype de Sram Cmos 32nm avec cellule
de 0,15µm2 à la conférence de Washington, mais sur un substrat
SOI et avec grille métallique et diélectrique à k élevée,
donc plus chère car plus complexe à réaliser. Rappelons
que 32nm ça représente environ 100 atomes. Sachant qu'il y a environ
1 atome de dopant pour 106 atomes de silicium, on imagine la nécessaire
fiabilité du dopage pour obtenir cette proportion régulièrement
répartie dans un canal aussi court et dont l'épaisseur, certes
plus grande, reste inférieure au micron.
Des écrans à cristaux liquides très économes en énergieLes cristaux cholestériques bistables sont encore relativement peu employés dans les systèmes d'affichage en raison de leur temps de réponse relativement élevé. mais cet inconvénient, notoire lorsqu'il s'agit d'afficher des messages à variation rapide (écran d'ordinateur par ex.), est largement compensé par la stabilité de l'état sans aucune consommation d'énergie. Ainsi ces cristaux bistables peuvent ils équiper des écrans dont l'affichage peut rester inchangé jusqu'à une dizaine d'années, dont la lisibilité est facilitée puisqu'ils sont visibles dans un champ de plus de 180° et que leur contraste augmente avec la lumière solaire reçue.
Dans le cas
des LCD nématiques courants, les molécules sont toutes alignées
dans la même direction ; dans celui des cholestériques, les axes
tournent suivant une hélice. En fait, l'action d'un champ électrique
sera différente selon qu'il variera brutalement ou lentement : une variation
brutale amènera l'organisation des molécules dans un état
ayant donc certaines propriétés optiques, tandis qu'une variation
brutale conduira à l'autre organisation ayant des prorpiétés
optiques différentes, d'où la possibilité de visualisation.
Ainsi on applique d'abord un champ sur l'ensemble de la surface (ce qui va aligner
les molécules perpendiculairement au champ et donc au plan de l'afficheur),
puis pour afficher un message il suffit de supprimer ce champ lentement en certains
points (dans ce cas il n'y a pas de mouvement hydrodynamique et les molécules
vont se retrouver à la fois parallèles au plan de l'afficheur,
et parfaitement alignées dans un plan perpendiculaire) et brutalement
en d'autres (dans ce cas c'est l'autre état stable dit tordu qui prévaut
: les molécules sont encore parallèles au plan mais chacune tourne
légèrement par rapport à celle au-dessus ou au-dessous
et l'ensemble se stabilise donc une configuration hélicoïdale).
Lorsque le champ est totalement supprimé l'état des molécules
va rester inchangé jusqu'à ce qu'une nouvelle variation de champ
se produise.Les Nanotechnologies : analyse comparative de l'état actuel des efforts institutionnels en Allemagne, en Europe et dans le reste du monde (20/09/2007)Les nanotechnologies et nanosciences définissent l'ensemble des techniques visant à produire, manipuler et utiliser des objets et matériaux à l'échelle du nanomètre (10E-9 m). Elles sont utilisées dans tous les domaines scientifiques et ont une importance qui ne cesse de croître : en 2006, l'effort mondial pour les nanotechnologies a été estimé à 10,5 milliards de dollars avec un taux de croissance annuelle estimé à 40%.
1. Définition et applications
2. Politique des nanotechnologies au niveau mondial
3. Les nanotechnologies en Europe
4. Les nanotechnologies en Allemagne
5. Les nanotechnologies en France
6. Coopérations franco-allemande dans le domaine des nanotechnologies
7. Conclusion
8. Annexes
les nanoparticules en AllemagneUn institut spécialisé dans la production et l'étude des propriétés des nanoparticules (Institut für Energie- und Umwelttechnik (IUTA) a été créé à Duisburg en vue d'examiner les applications industrielles en liaison avec nombre d'industriel de Rhénanie. En particulier un intérêt particulier est porté vers la réalisation de vitrages dont la couleur pourrait se modifier sous l'influence d'un champ électromagnétique ou d'impulsions lumineuses, voire s'échauffer sans contact.